Ihre Aufgaben
* Entwicklung von Halbleiterlasern auf der Grundlage von GaAs
* Planung und Leitung von bereichs- und standortübergreifenden Entwicklungsprojekten mit hoher Komplexität
* Device Simulation und Weiterentwicklung von Simulationsmethoden für Halbleiterschichtstrukturen
* Abschätzung von Entwicklungskosten und -dauer sowie Beschreibung von Arbeitspaketen
* Verifikation und Validierung der Entwicklungsergebnisse
* Erstellung von Dokumentation
* Technischer Austausch mit internen und externen Partnern insbesondere Kunden, Zulieferern und Kooperationspartnern
* Steuerung der Zusammenarbeit mit internen und externen Partnern, Instituten sowie Kunden
* Teilnahme an wissenschaftlichen Konferenzen, Präsentationen und Veröffentlichungen
Ihr Profil
* Abgeschlossenes Studium (mind. Master/Diplom) in Physik, Laser- und Optotechnologien, Lasertechnik, Elektrotechnik, Halbleitertechnologie, Werkstoffwissenschaften, Nanotechnologie oder einem vergleichbaren Fachgebiet
* Langjährige Berufserfahrung als Halbleiterlaser-Entwickler, Device Engineer, Entwicklungsingenieur oder Senior R&D Engineer im Bereich III-V-Halbleitertechnik mit Fokus auf Laserdesign und Simulation
* Nachweisbare Projektleitungserfahrung und Kenntnisse in der nachhaltigen Integration von Projektergebnissen
* Analytisches und lösungsorientiertes Denken
* Eine zielorientierte und selbstständige Arbeitsweise
* Deutsch- und Englischkenntnisse auf C1-Niveau