Die Fraunhofer-Gesellschaft ist eine der weltweit führenden Organisationen für anwendungsorientierte Forschung. 75 Institute entwickeln wegweisende Technologien für unsere Wirtschaft und Gesellschaft – genauer: 32 000 Menschen aus Technik, Wissenschaft, Verwaltung und IT. Sie wissen: Wer zu Fraunhofer kommt, will und kann etwas verändern. Für sich, für uns und die Märkte von heute und morgen.
INNOVATIONEN AUS EINER HAND
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VERÄNDERUNG STARTET MIT UNS
Am Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF kennen wir unsere Technologien wie unsere Westentasche. Denn als eine der wenigen wissenschaftlichen Einrichtungen weltweit forschen wir entlang der gesamten Halbleiter-Wertschöpfungskette und an maßgeschneiderten synthetischen Diamanten. Ob Hochfrequenz-Schaltungen für Kommunikationstechnik, Spannungswandler-Module für die Elektromobilität, Lasersysteme für Messverfahren, oder neuartige Hard- und Software für Quantencomputer sowie Quantensensoren: Wir entwickeln Technologie von Morgen aus einer Hand für eine nachhaltige und sichere Gesellschaft. Sie bald auch?
Die Abteilung Mikroelektronik (ME) entwirft mikroelektronische Bauelemente und Schaltungen für Hochfrequenztechnik und Leistungselektronik. Auf Basis der Hochfrequenzmodule werden Systeme für Sensorik, Kommunikationstechnik und Leistungselektronik entwickelt. Darüber hinaus sind wir mit modernster Messtechnik bestens ausgestattet.
Zu Ihren Aufgaben gehören:
* Bei uns entwickeln, entwerfen und realisieren Sie leistungsfähige GaN-Bauelemente, Schaltungen und Module für Hochfrequenzanwendungen bis 10 GHz.
* Ihre Expertise trägt dazu bei, wegweisende Hochfrequenzsysteme, Kommunikationslösungen und Radartechnologien zu realisieren.
* Sie sind von der Konzeptphase bis zur Charakterisierung aktiv beteiligt und bringen Ihre Ideen in spannende Projekte ein.
* Abgeschlossenes Studium (Diplom oder Master) in der Elektro-, Mikrosystem- oder Nachrichtentechnik oder Physik; idealerweise mit Promotion
* Umfassende Kenntnisse in der Systemauslegung von HF-Hochleistungsbauelementen, beispielsweise mit Signalflussdiagrammen, Berechnung benötigter Leistungen, Gain und Wirkungsgrad
* Erfahrung im Entwurf von hybriden Hochfrequenzmodulen bis 10 GHz
* Sicherer Umgang mit Schaltungssimulationsprogrammen und EM-Simulationstools (ADS, CST, HFSS)
* Fachwissen in der messtechnischen Charakterisierung von Halbleiterbauelementen, zum Beispiel durch S-Parameter und Load-Pull
* Erfahrung in Forschungs- und Industrieprojekten, idealerweise in der Rolle einer verantwortlichen Person
* Verhandlungssichere Deutsch- und Englischkenntnisse sowie Teamgeist, Kommunikationsstärke und eine selbstständige wissenschaftliche Arbeitsweise
* Modernste Forschungsinfrastruktur mit einzigartigen Anlagen entlang der gesamten Wertschöpfungskette sowie neuester Technologie in der Hochfrequenzelektronik
* Breit gefächerte Forschungsbereiche ermöglichen xkxcfiw sowohl Spezialisierung als auch interdisziplinäres Arbeiten
* Engagierte Zusammenarbeit mit innovativen Teams und der Industrie an spannenden Projekten
* Modernes und international geprägtes Arbeitsumfeld
* Freiraum für Kreativität und die Möglichkeit, eigene Forschung zu gestalten sowie aktiv am wissenschaftlichen Austausch teilzunehmen
* Fachliche und persönliche Entwicklungsmöglichkeiten durch vielfältige Weiterbildungsangebote und die Teilnahme an internationalen Fachkonferenzen
* Umfangreiche Zusatzleistungen wie eine betriebliche Altersvorsorge (VBL), Zuschuss zum Deutschland-Ticket/Jobticket sowie vielfältige Gesundheitsangebote (z.B. Pilates)
* Einen familienfreundlichen Arbeitsplatz mit Angeboten zur Vereinbarkeit von Familie und Beruf (Mit-Kind-Büro, die Möglichkeit zum mobilen Arbeiten u.a.)
* Kostenloses Parkhaus mit E-Ladestationen sowie Frelo-Station (Fahrradverleihsystem) und Bushaltestelle direkt am Institut