Was Sie bei uns tun
* Sie entwickeln, untersuchen und optimieren Züchtungsverfahren zur Kristallzüchtung von dicken III/V Halbleiterschichten (GaAs, GaP) unter Erhalt spezifisch orientierter Domänenstrukturen mittels Gasphasenepitaxie für laseroptische Anwendungen.
* Sie erforschen das Kristallwachstum mittels speziell angepassten Untersuchungsmethoden für die Analytik von Kristallen u.a. im Bereich der Spektroskopie und Röntgendiffraktometrie.
* Sie optimieren Verfahren zur Kristallbearbeitung mit dem Ziel, leistungsfähigere Bauteile mit optischen Oberflächen für die Entwicklung neuartiger Laserquellen möglich zu machen.
* Das Verfassen von Dokumentationen, Berichten und Publikationen in englischer und deutscher Sprache gehört ebenfalls zu Ihrem Arbeitsalltag
Was Sie mitbringen
* Ein abgeschlossenes wissenschaftliches Hochschulstudium (Diplom/Master/Promotion) der Physik, Chemie, Elektrotechnik, Kristallographie, oder vergleichbarer Fachrichtungen
* Langjährige Erfahrung in III/V Epitaxie, insbesondere in der MOCVD oder HVPE Technik, sowie in der Bearbeitung und Handling (Ätzen, Cleaven, Polieren) von III/V-Wafern.
* Fortgeschrittene Kenntnisse in Halbleiter-Prozesstechnik sowie zugehörigen Analytik-Methoden (Röntgenbeugung, Spektroskopie, SIMS).
* Grundkenntnisse im Bereich der Laserphysik oder nichtlinearer Optik sind von Vorteil.
* Sie begeistern sich für die wissenschaftliche Arbeit möchten jedoch Ihre Forschungsergebnisse auch in den praktischen Einsatz überführen
* Sehr gutes Deutsch (B2/C1 Niveau) und sehr gutes Englisch (mindestens B2 Niveau) in Wort und Schrift runden Ihr Profil ab
Was Sie erwarten können
* Eine abwechslungsreiche, spannende Tätigkeit an der Schnittstelle zwischen Wissenschaft und Wirtschaft, zwischen Gegenwart und Zukunft
* Großen Freiraum zur Entfaltung und zum selbstbestimmten Vorantreiben von Themen und Projekten in einer expandierenden Abteilung
* Eine weltweit einzigartige Laborausstattung mit modernen, teilweise nicht kommerziell verfügbaren Komponenten und Messeinrichtungen
* Motivierte Kolleg*innen, die sich durch ihre interdisziplinäre und internationale Zusammensetzung gegenseitig inspirieren
* Individuelle Karrierepfade durch umfangreiche Fortbildungs- und Entwicklungsmöglichkeiten (z.B. Förder- und Entwicklungsprogramm »Fraunhofer TALENTA« für Wissenschaftlerinnen und weibliche Führungskräfte)
* Optimale Bedingungen zur Vereinbarkeit von Beruf und Privatleben (flexible Arbeitszeiten, mobiles Arbeiten im Rahmen der Erfordernisse der Stelle, Kita-Platz-Kontingent in Karlsruhe etc.)
* Eine Kantine sowie nahegelegene Einkaufsmöglichkeiten
* Eine sehr gute Anbindung an den ÖPNV sowie ein Zuschuss zum Deutschlandticket
Wir wertschätzen und fördern die Vielfalt der Kompetenzen unserer Mitarbeitenden und begrüßen daher alle Bewerbungen – unabhängig von Alter, Geschlecht, Nationalität, ethnischer und sozialer Herkunft, Religion, Weltanschauung, Behinderung sowie sexueller Orientierung und Identität. Schwerbehinderte Menschen werden bei gleicher Eignung bevorzugt eingestellt.
Die wöchentliche Arbeitszeit beträgt 39 Stunden. Die Stelle kann auch in Teilzeit besetzt werden. Die Stelle ist zunächst auf 2 Jahre befristet. Eine Verlängerung wird angestrebt. Die Vergütung richtet sich nach der Gesamtbetriebsvereinbarung zur Beschäftigung der Hilfskräfte.
Mit ihrer Fokussierung auf zukunftsrelevante Schlüsseltechnologien sowie auf die Verwertung der Ergebnisse in Wirtschaft und Industrie spielt die Fraunhofer-Gesellschaft eine zentrale Rolle im Innovationsprozess. Als Wegweiser und Impulsgeber für innovative Entwicklungen und wissenschaftliche Exzellenz wirkt sie mit an der Gestaltung unserer Gesellschaft und unserer Zukunft.