Fakultät IV - Elektrotechnik und Informatik, Institut für Energie- und Automatisierungstechnik - Leistungselektronik
Studentische Beschäftigung mit 40 Monatsstunden
Ihre Aufgaben
Unterstützung der wissenschaftlichen Arbeit im Projekt„Verbesserung der Robustheit von GaN-Leistungstransistoren durch neuartige GaN-Epi-Wafer mit verbesserter Wärmeabfuhr (RuggedGaN)“, insbesondere:
1. Unterstützung beim Aufbau, der Inbetriebnahme und Weiterentwicklung von Mess- und Testinfrastrukturen zur experimentellen Charakterisierung von Leistungshalbleitern (40%)
2. Durchführung von Messungen sowie Unterstützung bei der Auswertung und Dokumentation der Ergebnisse (40%)
3. Unterstützung bei der Erstellung technischer Berichte (20%)
Ihr Profil
Muss-Kriterien:
4. Sehr Gute Kenntnisse der Elektrotechnik, insbesondere von Leistungselektronik oder Halbleiterbauelementen
5. Sehr gute Grundlagenkenntnisse der Mess- und Schaltungstechnik
6. Gute Deutsch- und oder Englischkenntnisse erforderlich; Bereitschaft, die jeweils fehlenden Sprachkenntnisse zu erwerben
Kann-Kriterien:
7. Erfahrung im Schaltungsdesign und Simulation
8. Praktische Erfahrung im PCB Layout und Inbetriebnahme
9. Programmiererfahrung mit Mikrocontrollern und Python