Am Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik kennen wir unsere Technologien wie unsere Westentasche. Denn als eine er wenigen wissenschaftlichen Einrichtungen weltweit forschen wir entlang der gesamten Halbleiter-Wertschöpfungskette und an maßgeschneiderten synthetischen Diamanten. Ob Hochfrequenz-Schaltungen für Kommunikationstechnik, Spannungswandler-Module für die Elektromobilität, Lasersysteme für Messverfahren oder neuartige Hard- und Software für Quantencomputer sowie Quantensensoren: Wir entwickeln Technologie von morgen aus einer Hand für eine nachhaltige und sichere Gesellschaft. Du bald auch?
Zukünftige drahtlose Kommunikationssysteme drängen zu immer höheren Frequenzen, um höhere Datenraten zu erreichen. Eine kritische Kompenente solcher Systeme stellt der Sende-Leistungsverstärker dar, der bei Höchstfrequenzen um die 300 GHz die Sendeleistung bereitstellen muss. High-Electron-Mobility-Transistoren (HEMTs) auf InGaAs-Basis sind hervorragend geeignet, um Verstärkerschaltungen bei 300 GHz zu realisieren. Diese HEMTs sind aktuell allerdings limitiert in ihrer Betriebsspannung, was auch die Ausgangsleistung begrenzt. Das Fraunhofer IAF forscht daher an neuen innovativen InGaAs-HEMTs-Technologien, die auf eine Erhöhung der Ausgangsleistung bei 300 GHz durch verbesserte Spannungsfestigkeit dieser Höchstfrequenz-Bauelemente abzielt. Im Fokus dieser Masterarbeit steht die ausführliche Charakterisierung und Modellierung von HEMTs mit Rückseitenfeldplatte, um ein besseres Bauteilverständnis zur weiteren Erhöhung der Ausgangsleistung bei 300 GHz zu erreichen.
Was du bei uns tust
* Deine Tätigkeit umfasst die elektrische Charakterisierung und Analyse neuartiger Transistortechnologien mit Rückseitenfeldplatte zur Leistungserzeugung bei Millimeterwellen-Frequenzen.
* Du setzt On-Wafer-Messtechnik vielfältig ein, u.a. DC-, Durchbruchs, S-Parameter- und Load-Pull-Messungen verschiedener Beuteilgeometrien und Epitaxie-Variationen.
* Du wirkst an der technologischen Transistor-Modellierung (TCAD) zur Analyse von Durchbruchsmechanismen mit.
* Die Kleinsignalanalyse zur Bewertung der HF-Bauteilperformance ist ebenfalls Teil deines Aufgabengebiets.
* Darüber hinaus bist du für die Datenanalyse verschiedener Transistorvariationen basierend auf Mess- und Modelldaten zuständig zur Optimierung neuartiger HEMT-Technologien.
Was du mitbringst
* immatrikulierte*r Masterstudent*in im Bereich Elektrotechnik, Physik, Mikrosystemtechnik oder einer vergleichbaren Fachrichtung
* Kenntnisse im Bereich der (Hochfrequenz-)Elektronik und Halbleiter-Bauelementen
* Erfahrung in Python-Programmierung zur Datenanalyse
* erste Erfahrungen mit Keysight Advanced Design System (ADS) oder Kexsight ICCAP von Vorteil
* gute Sprachkenntnisse in Englisch
* Freude am experimentellen und wissenschaftlichen Arbeiten
* Teamfähigkeit, Offenheit und Motivation zu eigenständiger, zielgerichteter Arbeit
Was du erwarten kannst
* modernste Forschungsinfrastruktur mit einzigartigen Anlagen entlang der gesamten Wertschöpfungskette
* Persönliche Betreuung auf Augenhöhe und Unterstützung durch erfahrene Wissenschaftler*innen und Fachleute während deiner gesamten Arbeit
* modernes und international geprägtes Arbeitsumfeld mit Raum für eigenverantwortliches Arbeiten und kreatives Gestalten
* flexible Arbeitszeitgestaltung, die zu deinem Studium passt
* eine offene und teamorientierte Unternehmenskultur, die dir die Möglichkeit bietet, eigene Ideen einzubringen
* vielfältige und spannende Aufgaben im Umfeld einer international renommierten Forschungseinrichtung
* Frelo-Station (Fahrradverleihsystem) und ein Parkhaus mit E-Ladestation direkt am Institut
Die Stelle ist zunächst auf 6 Monate befristet. Die monatliche Arbeitszeit beträgt 40 Stunden. Die Vergütung richtet sich nach der Gesamtbetriebsvereinbarung zur Beschäftigung der Hilfskräfte.
Wir wertschätzen und fördern die Vielfalt der Kompetenzen unserer Mitarbeitenden und begrüßen daher alle Bewerbungen - unbhängig von Alter, Geschlecht, Nationalität, ethnischer und sozialer Herkunft, Religion, Weltanschauung, Behinderung sowie sexueller Orientierung und Identität. Schwerbehinderte Menschen werden bei gleicher Eignung bevorzugt eingestellt.
Unsere Aufgaben sind vielfältig und anpassbar - für Bewerber*innen mit Behinderung finden wir gemeinsam Lösungen, die ihre Fähigkeiten optimal fördern. Gleiches gilt, wenn sie aufgrund einer Behinderung nicht alle Profilanforderungen erfüllen.