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Experte für gan-epitaxietechnologie (m/w/d)

München
Bertrandt
Inserat online seit: 15 August
Beschreibung

Was Sie erwartet:

1. Leitung der Entwicklung von epitaxialen Heterostrukturen im Bereich der III-N-Materialien mit besonderem Fokus auf qualitativ hochwertige GaN-Schichten auf Silizium- und Siliziumkarbid-Substraten durch metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD) oder andere relevante Wachstumsprozesse
2. Definition von Wachstumsrezepten, Durchführung von Prozessläufen, Charakterisierung der gewachsenen Wafer und Analyse der Ergebnisse für die Produktnutzung in den Bereichen RF, Leistungselektronik und Photonik
3. Identifikation von Ursachen und Definition nachhaltiger Korrekturmaßnahmen bei Prozessabweichungen
4. Analyse der Verbindung zwischen den Parametern des epitaxialen Wafers und den relevanten Gerätedaten zur Verbesserung der Leistung und Ausbeute
5. Definition der Messtechnikstrategie und Durchführung der erforderlichen Messungen
6. Zusammenarbeit mit Partnern zur Lieferung der erforderlichen epitaxialen Wafer für verschiedene Technologieprojekte gemäß Arbeitsplan und vereinbarten Spezifikationen
7. Regelmäßige Recherche zu neuen Verbundhalbleitermaterialien und -prozessen sowie Durchführung technischer und wirtschaftlicher Machbarkeitsbewertungen

Was Sie mitbringen:

8. Promotion oder Master-Abschluss in Elektrotechnik, Physik, Materialwissenschaften oder einer ähnlichen Disziplin
9. Über 8 Jahre Berufserfahrung im Wachstum von GaN-basierten Heterostrukturen, praktische Erfahrung mit GaN-on-Si und/oder GaN-on-SiC Epitaxie ist von Vorteil
10. Tiefgehendes Wissen und praktische Erfahrung mit MOCVD-Wachstumstechnologie und -ausrüstung
11. Gute Kenntnisse der Halbleiterbauelementphysik und -technologie, mit Schwerpunkt auf GaN-Materialien und GaN-basierten elektronischen und optoelektronischen Geräten
12. Erfahrung in der Herstellung von Halbleiterbauelementen und Arbeit im Reinraum
13. Gute Kenntnisse und Erfahrung in einer breiten Palette von Materialcharakterisierungstechniken, einschließlich Röntgenbeugung und -reflektometrie, Bogenmessung, Defektanalyse, Photolumineszenz, AFM, TEM, SEM und optische Mikroskopie
14. Sehr gute Kommunikations- und Präsentationsfähigkeiten in Deutsch und Englisch
15. Bereitschaft und Flexibilität, je nach Geschäftsbedarf international zu reisen

Was wir können:

Flexible Arbeitszeiten Eigenverantwortliches Arbeiten Konzernweites "Netzwerken" Attraktive Vergütung Teamorientierte Arbeitsweise Flexible Arbeitszeiten Eigenverantwortliches Arbeiten Konzernweites "Netzwerken" Attraktive Vergütung Teamorientierte Arbeitsweise

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